[1주차 5일] 엔지닉 반도체 책으로 2021년 하반기 DS부문 생산관리 취업할거에요!

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<1주 5일차 오늘의 과제 안내>

1)EUV 공정에 대해 설명해주세요

멀티 패터닝에 의한 원가 상승절감을 위해 EUV 공정의 필요성이 대두되었다. 

1. EUV는 LPP에서 13.5nm 파장의 빛을 추출하여 광원으로 사용한다. 93eV의 높은 에너지 때문에 모든 물질에 흡수되어 기존의 투과형 렌즈 사용이 불가하고 진공 상태 공학 시스템이 필요하다. 반사율을 최대화하기 위해 Si/Mo 적층 반사형 렌즈를 만들고 있으나 고출력 광원 개발이 필요하다. 

2. High-NA 노광 장치도 개발 중에 있다. 

3. EUV용 마스크도 Si/Mo 적층 반사형마스크를 사용하고, 패터닝을 위해 TaBN 흡수층을 사용한다.

4. EUV용 마스크의 보호를 위한 높은 투과율이 요구되는 펠리클은 실리콘 계열의 박막을 사용한다. 하지만, 요구하는 투과율, 열적, 기계적 안정성 등 개발이 절실한 상황이다.

5. EUV용 PR은 기존 화학 증폭형 PR과 개발 중인 금속 입자를 사용하는 무기물 PR로 양분된다. LER, 해상도, 광 감응도 만족할 ㅏ수 있는 고성능 PR개발이 필수적이다

 

2) Dry Etch의 식각 Angle을 줄이는 방법을 설명해주세요

반응성 이온 식각(RIE)은 직진성의 고 에너지 이온의 충돌에 의해 박막 표면의 원자 결합을 파괴한 추 라디칼리 박막의 표면과 화학 반응을 일으켜 비등방성으로 박막이 제거되는 원리이다. 그러나 라디칼의 반응성이 높아 RIE임에도 비등방성이 확보되지 않는 경우도 발생한다. 이를 대비하기 위해 피 식각 박막의 측벽에 식각 억제제를 피복시킴으로써 측벽을 보호하고 수직성을 확보한다. 이 방식을 이온 강화 억제제에 의한 식각이라 한다. 억제제는 주로 CxFy 기체의 반응으로부터 생성되는 고분자 물질이다.